[发明专利]用于供给处理流体的装置和具有该装置的处理衬底用装置有效
申请号: | 200810176805.6 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101441988A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 李正洙;朴奇洪 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尹洪波 |
地址: | 韩国忠南天安市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在一种用于将处理流体供给至衬底上的装置和一种具有该装置的用于处理衬底的装置中,处理流体刀在平行于该衬底的表面的方向延伸,并具有缝喷嘴以供给该处理流体。杆在该刀的延伸方向延伸穿过该刀,并且在该刀的延伸方向将张紧力施加刀该杆,从而防止该刀下垂。因此,可以减小或防止由于刀的下垂可能引起的对衬底的损伤,而且进一步处理流体可被均匀地供给至衬底上。 | ||
搜索关键词: | 用于 供给 处理 流体 装置 具有 衬底 | ||
【主权项】:
1、一种用于将处理流体供给至衬底上的装置,所述装置包括:刀,所述刀具有缝喷嘴以将所述处理流体供给至衬底上,并在平行于所述衬底的表面的方向延伸;以及杆,所述杆延伸穿过所述刀以防止所述刀下垂,在所述刀延伸的方向,张紧力被施加至所述杆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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