[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810176820.0 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101499488A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 白宗玟;郑圣熙;崔吉铉;车泰昊;朴嬉淑;李柄学;朴在花 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L23/532;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括W-Ni合金薄层。
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