[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810177548.8 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101572258A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 郑星雄;黄祥珉;金贤贞 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括在纵向晶体管上附加地形成金属字线以获得多层结构，从而通过防止将纵向晶体管的环绕栅极连接起来的镶嵌字线的电阻增加，来防止半导体器件的操作速度降低。因此，可以提高半导体器件的良品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一字线，其连接至纵向晶体管的栅极；以及第二字线，其构造成将栅极电源供应至所述第一字线。
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