[发明专利]制造电子装置的方法及电子装置有效
申请号: | 200810178424.1 | 申请日: | 2008-11-26 |
公开(公告)号: | CN101447460A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 永泽耕一;山口贵司;尾崎靖尚;金谷康弘;武田浩久;三上康男;武藤佳史 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置,该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤:在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜,通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图,并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下,在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图,其中,在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流,且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成,至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。 | ||
搜索关键词: | 制造 电子 装置 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种制造电子装置的方法,所述电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设置有抗蚀图,所述方法包括以下步骤:在所述基板上通过涂敷形成处于覆盖所述薄膜晶体管的状态的抗蚀膜;通过对所述抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图;以及在所述薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的条件下,在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图,其中,在所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射之后实施热硬化所述抗蚀图的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810178424.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机电致发光元件、导电层叠体和显示装置
- 下一篇:基底处理装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造