[发明专利]像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法有效
申请号: | 200810178695.7 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN101409263A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 曾贤楷;廖金阅;陈建宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法。该像素结构的制造方法包括:首先,提供一基板,且其上具有晶体管区、电容区与像素区。接着形成薄膜晶体管与电容电极于基板上,其中电容电极被介电层所覆盖。继之,于薄膜晶体管以及电容电极上形成彩色滤光层,并于彩色滤光层上形成保护层。之后,形成不同厚度的图案化光致抗蚀剂层于保护层上,再依序移除部分保护层与部分图案化光致抗蚀剂层,以暴露出薄膜晶体管的部分源/漏极与部分保护层。接着,于保护层上共形地覆盖导电层,再移除部分图案化光致抗蚀剂层,以定义出像素电极。本发明可以降低制作成本,缩短工艺时间且增加产能,像素结构中存储电容的电容值也可获得有效地提升。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 显示 面板 以及 光电 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构的制造方法,包含:(a)提供一基板,且其上具有至少一晶体管区、至少一电容区与至少一像素区;(b)分别形成至少一晶体管于该晶体管区上与至少一电容电极于该电容区上,其中该电容电极被一介电层所覆盖;(c)形成一彩色滤光层于该晶体管区上、该像素区上及该电容区上,并覆盖该晶体管及部分该电容电极,其中,该彩色滤光层具有至少一第一开口及至少一第二开口,该第一开口对应于该晶体管的一源/漏极,该第二开口对应于该电容电极;(d)共形地形成一保护层于该彩色滤光层的表面上;(e)形成一图案化光致抗蚀剂层于该保护层上,且该图案化光致抗蚀剂层具有一第一部分、一第二部分以及一第三部分,该第一部分的厚度小于第二部分的厚度,且该第二部分的厚度小于第三部分的厚度,其中该第一部分覆盖该第一开口底部的该保护层上,该第三部分覆盖部分该晶体管上方的该保护层上,该第二部分覆盖于该像素区上方的该保护层上、于另一部分该晶体管上方的该保护层上及于部分该电容区上方的该保护层上;(f)移除该第一开口底部的该第一部分及该第一开口底部下方的该保护层,以暴露出该有源元件的部分该源/漏极;(g)移除该图案化光致抗蚀剂层的该第二部分及部分该第三部分,以使得位于部分该晶体管上方的该第三部分成为较第三部分厚度较薄的一第四部分,并暴露出像素区上的该保护层、部分晶体管区上方的该保护层、该第二开口处的该保护层及该电容区上方的该保护层;(h)共形地覆盖一导电层于该第四部分上、该第一开口、该第二开口、该像素区上方的该保护层上及部分该电容区上方的该保护层上;(i)移除该图案化光致抗蚀剂层的该第四部分及位于该第四部分上方的该导电层以定义出一像素电极,其中该像素电极于该第二开口处与该电容电极构成一存储电容,且该导电层与暴露出的该源/漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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