[发明专利]具有抬高的源/漏区的MOS器件有效
| 申请号： | 200810179248.3 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101447512A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 林宏年;柯志欣;陈宏玮;李文钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 梁 永;马佑平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底之上形成栅电介质；在栅电介质上形成栅电极；在栅电介质和栅电极的侧壁上形成薄衬垫；形成邻近薄衬垫的碳化硅(SiC)区；形成包括至少一部分碳化硅区的深源/漏区；覆盖形成金属层，其中介于金属层和深源/漏之间的第一界面高于介于栅电介质和半导体衬底之间的第二界面；对半导体器件进行退火以形成硅化物区。优选地，硅化物区内边缘和栅电极对应边缘之间的水平间距优选为小于大约150。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抬高 mos 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的栅电介质；位于所述栅电介质之上的栅电极；邻近所述栅电介质并且具有至少一部分在所述半导体衬底内的碳化硅(SiC)区；深源/漏区；以及位于所述半导体衬底之上的硅化物区，其中所述硅化物区内边缘与所述栅电极的对应边缘之间的水平间距小于大约![]()
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