[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810179265.7 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101452958A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。将异质半导体角部区作为防止反向偏置电流集中在凸型角部的电流集中缓和区布置在异质半导体区中。由此，可以防止电流集中在凸型角部。结果，可以改善关断时的关断特性，并且还防止导通时在特定部分产生热点以抑制特定部分的劣化，由此确保了长期可靠性。另外，当半导体芯片用在L负载电路等中时，例如，在导通时或对关断状态的瞬态响应期间，在作为当出现过流或过压时的破坏耐受度的指标的例如短路阻抗负载量和雪崩阻抗量等的指标中，可以防止电流集中在特定部分，因此，可以改善这些破坏耐受度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体基体；异质半导体区，其具有与所述半导体基体的带隙宽度不同的带隙宽度，并且与所述半导体基体相接触以形成异质结界面；栅电极，其通过栅绝缘膜与所述异质结界面接触；源电极，其连接到所述异质半导体区；漏电极，其连接到所述半导体基体；角部，其设置在接触所述栅绝缘膜的异质结界面处；以及电流集中缓和区，其减小在所述角部生成的电流，使得所述电流小于在接触所述栅绝缘膜的其它异质结界面位置生成的电流。
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