[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的控制方法

摘要

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度-膜厚-第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。

主权项

1、一种基板处理装置，其特征在于，包括：存储部，存储设定温度分布，该设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序；基板处理部，根据所述设定温度分布加热基板，并且通过在所述第三工序中提供处理气体，在所述基板上形成膜；第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，所述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；输入部，输入根据规定的设定温度分布通过所述基板处理部实际处理的所述基板的多个部位的测量膜厚；第一决定部，基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度；预计膜厚计算部，根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布，计算实际处理的基板的多个部位的预计膜厚；第二导出部，导出温度-膜厚-第二关系，所述温度-膜厚-第二关系为在规定条件的情况下，使第一时间、第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度变化量和在所述基板的多个部位的膜厚变化量的对应关系；以及第二决定部，基于所述温度-膜厚-第二关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。