[发明专利]使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法有效
| 申请号： | 200810181830.3 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101440491A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 姜东旻;姜宝滥;金永南;林永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法。在用于凸点下金属(UBM)层的蚀刻组合物和形成凸点结构的方法中，该蚀刻组合物包括：约40重量％～约90重量％的过氧化氢(H2O2)，约1重量％～约20重量％的包括氢氧化铵(NH4OH)或氢氧化四烷基铵的含水碱液，约0.01重量％～约10重量％的醇化合物，以及约2重量％～30重量％的乙二胺基螯合剂。该蚀刻组合物可有效蚀刻包括钛或钛钨的UBM层并可移除杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 凸点下 金属 蚀刻 组合 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 用于凸点下金属(UBM)层的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括：约40重量％～约90重量％的过氧化氢(H2O2)；约1重量％～约20重量％的包括氢氧化铵(NH4OH)或氢氧化四烷基铵的含水碱液；约0. 01重量％～约10重量％的醇化合物；以及约2重量％～约30重量％的乙二胺基螯合剂。
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