[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810182740.6 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101452965A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 吉井亮 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛 飞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了用于改善开关速度和耐压的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一导电类型的半导体衬底；杂质浓度低于半导体衬底且形成于半导体衬底第一主表面上的第一导电类型的第一半导体区域；形成于第一半导体区域的表面区域内且与第一半导体区域形成PN结的第二导电类型的第二半导体区域；包括一部分第一半导体区域和一部分第二半导体区域的接触区域；具有开口部的绝缘层，至少接触区域通过开口部而露出；至少与接触区域接触的第一电极；形成于半导体衬底第二主表面上的第二电极，从与第一主表面垂直的方向观察，第二半导体区域包括：第一区域，其中第二半导体的多个岛有间隔地排列；以及将第一区域的岛的各端相互连接的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的第一半导体区域，其杂质浓度低于所述半导体衬底的杂质浓度，并且，该第一半导体区域形成于所述半导体衬底的第一主表面上；第二导电类型的第二半导体区域，形成于所述第一半导体区域的表面区域中，且与所述第一半导体区域形成PN结；包括所述第一半导体区域的一部分和所述第二半导体区域的一部分的接触区域；具有开口部的绝缘层，其中至少所述接触区域通过所述开口部而露出；形成为至少与所述接触区域接触的第一电极；以及形成于所述半导体衬底的第二主表面上的第二电极，其中从与所述第一主表面垂直的方向观察，所述第二半导体区域包括：第一区域，在该第一区域中，第二半导体的多个岛有间隔地排列；和第二区域，所述第二区域将所述第一区域的岛的各端相互连接。
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