[发明专利]一种改善浅沟槽绝缘结构的方法无效
| 申请号： | 200810183249.5 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101752289A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱作华;曾令旭;李秋德;何荣 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，包括以下步骤：提供一种半导体衬底，衬底上具有浅沟槽结构，包括浅沟槽结构表面的衬底表面覆盖有一层阻挡层，该阻挡层的材料为氮化物，浅沟槽结构的表面的阻挡层的厚度小于衬底表面其他位置的阻挡层厚度；在半导体衬底上沉积光阻，该光阻覆盖在半导体衬底的阻挡层上方，在浅沟槽结构上方的光阻高度低于其他位置的光阻高度；通过等离子体蚀刻光阻，直到浅沟槽结构的上边缘处的阻挡层的氮化物暴露；对没有光阻覆盖处的阻挡层进行干蚀刻，去除一部分阻挡层。本发明的方法可以改进半导体器件的结构，避免了后续过程中因为SiN被蚀刻而产生的多晶硅沉积现象，避免半导体器件的电路桥接的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 沟槽 绝缘 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、提供一种半导体衬底，衬底上具有浅沟槽结构，包括浅沟槽结构表面的衬底表面覆盖有一层阻挡层，该阻挡层的材料为氮化物，浅沟槽结构的表面的阻挡层的厚度小于衬底表面其他位置的阻挡层厚度；步骤2、在半导体衬底上沉积光阻，该光阻覆盖在半导体衬底的阻挡层上方，在浅沟槽结构上方的光阻高度低于其他位置的光阻高度；步骤3、通过等离子体蚀刻光阻，直到浅沟槽结构的上边缘处的阻挡层的氮化物暴露；步骤4、对没有光阻覆盖处的阻挡层进行干蚀刻，去除一部分阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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