[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810183704.1 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101527320A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;神保安弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于：降低薄膜晶体管的截止电流；提高薄膜晶体管的电特性；提高使用薄膜晶体管的显示装置的图像质量。本发明提供一种薄膜晶体管，包括：在栅电极上隔着栅极绝缘膜设置在不到达该栅电极的端部的内侧区域的半导体膜；至少覆盖半导体膜的侧面的膜；以及形成在覆盖半导体膜的侧面的膜上的一对布线，其中，半导体膜中添加有用作供体的杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包括薄膜晶体管的半导体装置，包括：包括内侧区域和端部的栅电极；形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，该半导体膜重叠于所述内侧区域，并且不重叠于所述端部；以覆盖所述半导体膜的侧面的方式形成的膜；形成在所述膜上的源极布线；以及形成在所述膜上的漏极布线，其中，所述侧面中间夹着所述膜与所述源极布线及所述漏极布线中的一个面对，并且，所述膜不是导电膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810183704.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车用电池单元
- 下一篇：固体摄像装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
