[发明专利]电介质瓷器组合物和电子部件

摘要

本发明提供电介质瓷器组合物和电子部件，所述电介质瓷器组合物含有BaTiO₃和BaZrO₃，该电介质瓷器组合物的特征在于，由2个以上的电介质粒子(20)和晶界相(30)构成，设以BaTiO₃为主成分的电介质粒子(20)为第1电介质粒子(21)、以BaZrO₃为主成分的电介质粒子(20)为第2电介质粒子(22)、第1电介质粒子(21)的平均结晶粒径为D1、第2电介质粒子(22)的平均结晶粒径为D2时，D2与D1之比(D2/D1)为0.04～0.33、D2为0.02μm～0.25μm、第2电介质粒子(22)的总个数与第1电介质粒子(21)的总个数之比为0.10～2。根据本发明，能够提供击穿电压良好、适合用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质瓷器组合物。

主权项

1、一种电介质瓷器组合物，其是具有BamTiO2+m和BanZrO2+n的电介质瓷器组合物，其中，m满足0.99≦m≦1.01，n满足0.99≦n≦1.01，其特征在于，上述电介质瓷器组合物由2个以上的电介质粒子和存在于相邻接的上述电介质粒子间的晶界相构成，当设以BamTiO2+m为主成分的上述电介质粒子为第1电介质粒子、以BanZrO2+n为主成分的上述电介质粒子为第2电介质粒子、上述第1电介质粒子的平均结晶粒径为D1μm、上述第2电介质粒子的平均结晶粒径为D2μm时，上述D2与上述D1之比D2/D1为0.04～0.33，上述D2为0.02μm～0.25μm，上述电介质瓷器组合物中，上述第2电介质粒子的总个数与上述第1电介质粒子的总个数之比为0.10～2。