[发明专利]制造氧化铝纳米孔阵列的方法、及制造磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 200810184312.7 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101451259A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 津田孝一 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张 鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种由其表面平滑度被改进的铝薄膜构成的氧化铝纳米孔的制造方法、优选能减小用于为形成氧化铝纳米孔所用的凹点形成的压力的氧化铝纳米孔阵列制造方法，以及一种使用这种氧化铝纳米孔的磁记录介质制造方法。通过其中阳极氧化在-80℃或者更低基板温度下在基板上形成的铝薄膜、或者执行其中在阳极氧化之前使用模子来使铝薄膜具有结构同时将模子和铝薄膜保持在150℃至200℃温度的工艺的制造方法来制造氧化铝纳米孔阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化铝 纳米 阵列 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种制造氧化铝纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：(1)在-80℃或更低的基板温度下在基板上形成铝薄膜；以及(2)阳极氧化所述铝薄膜。
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