[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及制造方法，其在最大化半导体器件的集成度同时将线宽减到最小。其中该方法包括在半导体衬底上形成层间绝缘膜，在该层间绝缘膜中形成第一通孔，在所述第一通孔中形成树脂材料，在所述层间绝缘膜中侧向邻近地形成多个第二通孔，在所述多个第二通孔中形成树脂材料，同时形成多个第三通孔和沟槽，所述多个第三通孔在所述层间绝缘膜中形成，该沟槽在空间上位于所述第一通孔空间上方且与其对应，移除形成在所述第一通孔和所述多个第二通孔中的树脂，在所述第一通孔、第二通孔和第三通孔以及沟槽中同时形成金属层。通过双重成像形成适用于双镶嵌工艺的金属层，将光刻中的线宽减到最小且具有最大化半导体器件集成度的效果。

主权项

1. 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；然后通过第一光刻工艺，在所述层间绝缘膜中形成第一通孔；然后在所述第一通孔中形成树脂材料；然后通过第二光刻工艺，在与所述第一通孔侧向邻近的所述层间绝缘膜中形成多个第二通孔；然后在所述第二通孔中形成树脂材料；然后同时形成多个第三通孔和一沟槽，其中所述多个第三通孔通过第三光刻工艺在所述层间绝缘膜中形成，而所述沟槽在空间上位于所述第一通孔上方并与其对应；然后移除形成在所述第一通孔和所述第二通孔中的树脂；然后在所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述沟槽中同时形成金属层。