[发明专利]半导体集成电路有效
申请号: | 200810184383.7 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN101471340A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 东井亮 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体集成电路,缓和因ESD保护电路上存在连接布线引起的、ESD保护电路附近的信号布线的混杂。将连接于ESD保护电路(10)的连接布线(13、14、15、16)在与各布线层的布线优先方向一致的方向上配置。因此,在将连接布线(15)在横向延伸地配置的布线层上,可配置在横向延伸的信号布线(17),在将连接布线(14)在纵向延伸地配置的布线层上,可配置在纵向延伸的信号布线(18)。即,在ESD保护电路(10)上的区域中,虽然存在连接布线,但是也可在横向或纵向配置信号布线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1、一种半导体集成电路,具备:ESD保护电路;构成于所述ESD保护电路上,连接于所述ESD保护电路的连接布线;和所述ESD保护电路上通过的信号布线;所述连接布线分别在布线优先方向是横向的第1布线层、和布线优先方向是纵向的第2布线层中,包含在与该布线层的布线优先方向一致的方向上配置的布线;所述信号布线包含:在所述第1布线层中在横向延伸配置的布线;和在所述第2布线层中在纵向延伸配置的布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的