[发明专利]雷射切割方法无效
| 申请号： | 200810184465.1 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764172A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 叶公旭;苏纪为 | 申请（专利权）人： | 东捷科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/38 |
| 代理公司： | 广东国欣律师事务所 44221 | 代理人： | 李文 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种雷射切割方法，其包含下列各步骤：a)利用一平台承载一基板且该基板设有至少一第一切割直线；b)利用一斜率运算装置在该第一切割直线上撷取二参考点，再以该二参考点计算该第一切割直线相对于一雷射装置的雷射行进轴的斜率；以及，c)利用该雷射装置依照该第一切割线相对于该雷射行进轴的斜率在该基板上切割至少一第二切割直线，该第二切割直线与该第一切割直线相隔一预定距离。借此，可免除预先在基板上标记的工序，以提高产能，减少成本支出。 | ||
| 搜索关键词： | 雷射 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种雷射切割方法，其特征在于，其包含下列各步骤：a)利用一平台承载一基板且该基板设有至少一第一切割直线；b)利用一斜率运算装置在该第一切割直线上撷取二参考点，再以该二参考点计算该第一切割直线相对于一雷射装置的雷射行进轴的斜率；以及c)利用该雷射装置依照该第一切割线相对于该雷射行进轴的斜率在该基板上切割至少一第二切割直线，该第二切割直线与该第一切割直线相隔一预定距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
