[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在衬底SUB1上形成包含用狭窄的间隙(GP1)隔离开来的栅电极(GE2)和辅助图案(AP2)的导体图案(CP3)，然后以将其覆盖的方式而形成栅极绝缘膜用的绝缘膜(GIF2)，并在其之上形成抗蚀膜(RP4)，从衬底SUB1的背面侧对抗蚀膜(RP4)进行曝光。在曝光时，使导体图案(CP3)作为掩模发挥功能，但使抗蚀膜(RP4)成为无法分辨间隙(GP1)的尺寸那样的低分辨率，并使显影后的抗蚀图案(RP4a)不产生与间隙(GP1)相当的部分。通过使用了此抗蚀图案RP4a的提离法而形成与栅电极(GE2)匹配的源·漏电极。通过对辅助图案(AP2)的形状进行调整就能够将源·漏电极的形状调整成任意形状。利用本发明，能够使薄膜晶体管的性能得到改善。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：衬底；第一导体图案，形成在上述衬底上，具有隔着间隙而相互隔离开的第一图案以及第二图案；绝缘膜，在上述衬底上以覆盖上述第一导体图案的方式而形成；以及第二导体图案，形成在上述绝缘膜上，所述半导体器件的特征在于：上述第二导体图案在未形成有上述第一导体图案的区域上与上述第一导体图案匹配而形成，且上述第二导体图案未形成在上述间隙上。