[发明专利]咬合式电路结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200810185204.1 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101754578A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 余丞博;黄瀚霈 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H05K1/11 分类号: H05K1/11;H05K3/38;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 兹揭示一种咬合式电路结构及其形成方法。上述咬合式电路结构包含基材、位于基材上的介电层、位于介电层中的沟槽,以及填满沟槽并与之咬合的导电材料,而使得导电材料部分嵌入于沟槽中,且部分突出于沟槽外。
搜索关键词: 咬合 电路 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种咬合式电路结构,包含:基材:介电层,位于该基材上;沟槽,位于该介电层中;以及导电材料,填满该沟槽并与该沟槽咬合,使得该导电材料部分嵌入于该沟槽中并部分突出于该沟槽外。
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