[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200810188379.8 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101447515A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;吴旻达;赖二琨;施彦豪;何家骅;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一反型区、一第二反型区及位于第一反型区与第二反型之间的一沟道区，位于沟道区和第一反型区及第二反型区上的一第一绝缘层，位于第一绝缘层上的一俘获层，位于俘获层上的一第二绝缘层。上述半导体元件还包括一控制栅极、一第一扩散区、一第二扩散区以及至少一次栅极，其中次栅极包括一第一次栅极与一第二次栅极，前述第一次栅极位于第一扩散区上方，前述第二次栅极位于第二扩散区上方，第一次栅极、第二次栅极和控制栅极都位于第二绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体元件，其特征在于包括：一半导体基板，包括：一第一反型区，一第二反型区，一沟道区，位于该第一反型区和该第二反型区之间；一第一绝缘层，位于该沟道区和该第一反型区及该第二反型区上；一俘获层，位于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，位于该俘获层上；一控制栅极；一第一扩散区；一第二扩散区；以及至少一次栅极，其中该次栅极包括一第一次栅极与一第二次栅极，该第一次栅极位于该第一扩散区上方，该第二次栅极位于该第二扩散区上方，该第一次栅极、该第二次栅极和该控制栅极都位于该第二绝缘层上。
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