[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810188422.0 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101465378A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 一条尚生;A·阿丹;成濑一史;键泽笃 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;蒋 骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底(1)上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3)，形成在该体区(3)内的N-型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：形成在第一导电类型的半导体衬底上的第二导电类型的阱区，该第二导电类型不同于该第一导电类型；形成在该阱区内的该第一导电类型的体区；形成在该体区内的该第二导电类型的源区；形成在该阱区中与该体区相距一段距离的该第二导电类型的漏区；形成为重叠该体区的一部分的栅绝缘膜；形成在该栅绝缘膜上的栅电极；和该第一导电类型的掩埋扩散区，其与该体区的底部接触并在该阱区内平行于该半导体衬底表面的方向延伸到该漏区下方的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810188422.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：模制具有加固外边缘的复合双极板的方法
- 下一篇：流量控制阀
- 同类专利
- 专利分类
