[发明专利]具静电放电保护的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件有效
| 申请号： | 200810190539.2 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771077A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张义昭 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具静电放电保护能力的水平扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)元件，包括一半导体衬底，其上有一外延层。一图案化的隔离区设置于所述外延层上，定义一第一主动区及一第二主动区。一N-型双扩散区设置于所述第一主动区中，一N-型浓掺杂漏极区设置于所述N-型双扩散区中。一P-型体掺杂区于所述第二主动区中，其中所述N-型双扩散区和所述P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述半导体衬底，一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于所述P-型体掺杂区中，以及一栅极结构于所述N-型浓掺杂源极区和所述N-型浓掺杂漏极区之间。一额外的浓掺杂区设置于所述半导体衬底与所述外延层的接口之间。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 水平 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
一种具静电放电保护能力的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件，其特征在于，所述水平扩散金属氧化物半导体晶体管包括：一半导体衬底，其上有一外延层；一图案化的隔离区设置于所述外延层上，定义一第一主动区及一第二主动区；一N-型双扩散区设置于所述第一主动区中；一N-型浓掺杂漏极区设置于所述N-型双扩散区中；一P-型体掺杂区于所述第二主动区中，其中所述N-型双扩散区和所述P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述半导体衬底；一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于所述P-型体掺杂区中；以及一栅极结构于所述N-型浓掺杂源极区和所述N-型浓掺杂漏极区之间；其中一额外的浓掺杂区设置于所述半导体衬底与所述外延层的接口之间。
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