[发明专利]一种绿光发光二极管有效
| 申请号： | 200810200457.1 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101359711A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;郝茂盛;颜建锋;周健华;张国义 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绿光发光二极管，包括含一插入层的InxGa1－xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35。所述插入层是InyGa1－yN，其中x＜y≤1或是AlyGa1－yN，其中0＜y≤1或是IncAl1－cN，其中x＜c≤1或是AlaInbGa1－a－bN，其中0＜a＜1，0＜b＜1，并且a，b的取值需满足AlaInbGa1－a－bN的势垒高于GaN的势垒；所述插入层的厚度是0.1～5nm；所述InxGa1－xN/GaN多量子阱的量子阱数目为1～20。此类二极管能减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，是一种高亮度、抗静电能力强的绿光发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种绿光发光二极管，其特征在于：所述绿光发光二极管包括含一插入层的InxGa1-xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35。
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