[发明专利]去除晶圆正面胶粘残渣的方法有效
| 申请号： | 200810201822.0 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101728228A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 许顺富;傅俊;赖海长;陆志卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;B08B3/00;B08B3/08;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其包括下列步骤：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。本方法能够有效地去除晶圆背面研磨时粘帖在晶圆正面的保护膜留下的胶粘残渣，防止晶圆报废并不会对铝连接区域以及平坦化区域造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 正面 胶粘 残渣 方法 | ||
【主权项】：
一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于包括下列步骤：S10：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；S20：将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；S30：将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；S40：将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810201822.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：绝缘层上覆硅元件及其制造方法
- 下一篇：宠物链
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
