[发明专利]一种薄型非接触模块封装的焊接方法无效
| 申请号： | 200810202796.3 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101419926A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陆美华;叶佩华 | 申请（专利权）人： | 上海伊诺尔信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 200237上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄型非接触模块封装的焊接方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法为：先在IC芯片的压焊区上形成一个金球；然后再在引线框架形成第一焊点；将第二焊点的楔焊点焊在芯片已焊的金球，实现倒焊弧。本发明的优点是弧高低、拉力高，保证了超薄模塑成品率和可靠性。对直径25.4微米的金丝，美国军标是大于4克拉力，该新技术突破了常规的标准，达到6克以上的拉力强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄型非 接触 模块 封装 焊接 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种薄型非接触模块封装的焊接方法，其特征在于，使用倒焊弧方法，其方法为：第一步，先在IC芯片(2)的压焊区上形成一个金球(6)；第二步，然后再在引线框架(3)形成第一焊点(7)；第二步，将第二焊点的锲焊点焊在芯片(2)已焊的金球(6)上，实现倒焊弧；材料：1mil AW66金丝焊接参数：球焊点焊接压力 400-800mN球焊点焊接时间 5-15ms球焊点焊接功率 15％-40％楔焊点焊接压力 300-700mN楔焊点焊接时间 4-15ms楔焊点焊接功率 10％-40％加热块温度 180±5℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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