[发明专利]形成接触孔的方法及半导体器件无效
| 申请号： | 200810202831.1 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740470A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 宋伟基;赵简 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/522;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 形成接触孔的方法及半导体器件，其中形成接触孔的方法包括步骤：在衬底上形成金属硅化物层；使用含氮等离子体处理所述金属硅化物层，从而在所述金属硅化物层上形成刻蚀停止薄膜层；在所述刻蚀停止薄膜上形成堆栈层；刻蚀所述堆栈层至至少暴露刻蚀停止薄膜层，形成接触孔。与现有技术相比，本申请在形成金属硅化物层之后，用含氮的等离子体处理该金属硅化物层，使含氮等离子与金属硅化物反应生成一层刻蚀停止薄膜。在后续形成接触孔的过程中，刻蚀停止薄膜可以保护其下的金属硅化物层，使得金属硅化物层被免于过刻蚀或是减少过刻蚀量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成金属硅化物层；使用含氮等离子体处理所述金属硅化物层，从而在所述金属硅化物层上形成刻蚀停止薄膜层；在所述刻蚀停止薄膜上形成堆栈层；刻蚀所述堆栈层至至少暴露刻蚀停止薄膜层，形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
