[发明专利]LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810203538.7 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101740392A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮;王东立;陈德艳;陈良成;崔崟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法，其中，LDMOS晶体管的制作方法包括：在所述半导体衬底内形成深掺杂阱；在所述深掺杂阱内形成隔离结构，所述隔离结构位于源极和漏极之间且靠近漏极；在所述深掺杂阱内形成第一离子掺杂区；在所述深掺杂阱内形成第二离子掺杂区，所述第二离子掺杂区和第一离子掺杂区之间具有间隔。本发明通过在半导体衬底内形成与待形成的LDMOS晶体管的沟道导电类型相同的深掺杂阱，能够获得较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成深掺杂阱，所述深掺杂阱的导电类型与在该深掺杂阱内待形成的LDMOS晶体管的沟道导电类型相同，所述该深掺杂阱内待形成的LDMOS晶体管具有源极、漏极、以及栅介质层；在所述深掺杂阱内形成隔离结构，所述隔离结构位于源极和漏极之间且靠近漏极；在所述深掺杂阱内形成第一离子掺杂区，所述第一离子掺杂区的导电类型与LDMOS晶体管的沟道导电类型相同；所述第一离子掺杂区的深度大于隔离结构底部、且覆盖漏极、以及至少覆盖隔离结构的外围在所述深掺杂阱内对应的部分区域；在所述深掺杂阱内形成第二离子掺杂区，所述第二离子掺杂区的导电类型与LDMOS晶体管的沟道导电类型相反；所述第二离子掺杂区覆盖源极、以及至少覆盖栅介质层在所述深掺杂阱内对应的部分区域；所述第二离子掺杂区和第一离子掺杂区之间具有间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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