[发明专利]光学临近效应修正方法有效
| 申请号： | 200810204777.4 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101750876A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王伟斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供OPC方法，以在避免peeling及CT coverage的问题的基础上，提高OPC效率，降低掩膜版成本，以及提高生产效率。该方法包括：在包含孤立线的电路图案中，添加与孤立线平行的散射条；对该电路图案进行光学临近效应修正处理；以及在所述平行的散射条中最接近孤立线的散射条上，添加与孤立线垂直的散射条，其中所述垂直散射条的一端位于所述最接近孤立线的散射条上，另一端指向孤立线对应的接触点在孤立线上的投影。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种光学临近效应修正方法，其特征在于，包括：在包含孤立线的电路图案中，添加与孤立线平行的散射条；对该电路图案进行光学临近效应修正处理；以及在所述平行的散射条中最接近孤立线的散射条上，添加与孤立线垂直的散射条，其中所述垂直散射条的一端位于所述最接近孤立线的散射条上，另一端指向孤立线对应的接触点在孤立线上的投影。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
