[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 200810204969.5 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101447514A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏极区域由沟道区隔开；所述栅极绝缘介电层的第一部分靠近所述漏极区域，第二部分靠近所述源极区域，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管靠近源极区域的第二部分厚度较薄，提高了栅极对沟道的控制能力，增加饱和电流，提高器件的驱动能力，也减少器件面积。而靠近漏极区域的第一部分厚度较厚，抑制GIDL效应导致的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏极区域由沟道区隔开；其特征在于：所述栅极绝缘介电层的第一部分靠近所述漏极区域，第二部分靠近所述源极区域，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。
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