[发明专利]等离子体刻蚀电介质层的方法有效
| 申请号： | 200810205372.2 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101465293A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 凯文·皮尔斯;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201201上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体刻蚀电介质层的方法，使用含硫的等离子体刻蚀电介质层，可以很好地保证在电介质层上刻蚀出的等离子体符合预期。另外，本发明先还利用不含硫的第二等离子体刻蚀硬膜层，再利用含硫的第一等离子体刻蚀电介质层，既能利用含硫的等离子体刻蚀电介质层从而保持良好的刻蚀形状，又能防止硫与有机掩膜层形成阻隔层，从而避免难以去除有机掩膜层的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体刻蚀电介质层的方法，其特征在于：提供一半导体衬底，衬底上包括一电介质层和位于电介质层上的硬膜层和光刻胶层；图形化光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，利用不含硫的等离子刻蚀气体图形化所述硬膜层，并在完成硬膜层刻蚀后去除所述光刻胶层；以图形化的硬膜层为掩膜用含硫等离子刻蚀气体刻蚀所述电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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