[发明专利]半导体装置制造方法、固态成像设备、电器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810210184.9 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378019A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 三好康史 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/76;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置制造方法。所述方法包括如下步骤：在基板上形成具有开口的第一硬掩模；在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；经过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质；以及经过所述第一和第二硬掩模离子注入第二导电型杂质。由于该方法使用了第一和第二硬掩模，因而在使用具有高纵横比的掩模的情况下，杂质区变窄并形成深的杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 固态 成像 设备 电器 及其 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置制造方法，其包括如下步骤：在基板上形成具有开口的第一硬掩模；在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；经过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质；以及经过所述第一和第二硬掩模离子注入第二导电型杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
