[发明专利]同步半导体存储器件及其驱动方法有效
| 申请号： | 200810211450.X | 申请日： | 2008-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101399078A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李康悦 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种同步半导体存储器件包括：数据对准参考脉冲产生单元，配置成响应于数据选通信号(DQS)而产生数据对准参考脉冲；对准保持信号产生单元，配置成响应于数据对准参考脉冲和数据输入时钟而产生对准保持信号，该对准保持信号在对应于数据选通信号的后信号的周期期间启动；以及数据对准单元，配置成响应于数据对准参考脉冲和对准保持信号而对准输入数据。 | ||
| 搜索关键词： | 同步 半导体 存储 器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种同步半导体存储器件，包括：数据对准参考脉冲产生单元，配置成响应于数据选通信号(DQS)而产生数据对准参考脉冲；对准保持信号产生单元，配置成响应于所述数据对准参考脉冲和数据输入时钟而产生对准保持信号，该对准保持信号在对应于所述数据选通信号的后信号的周期期间启动；以及数据对准单元，配置成响应于所述数据对准参考脉冲和所述对准保持信号而对准输入数据。
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