[发明专利]一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式无效
| 申请号： | 200810212316.1 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101673704A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 周烽;徐忠良;邵峰 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式。该再加工方式包括：将表面具有析出铜的铝铜金属薄膜的材料置于真空环境中，加温至350～600摄氏度，而后将该材料置于该真空环境中预定时间，使得铜回熔到铝铜金属薄膜中。上述预定的温度优选为400摄氏度。上述真空环境中具有预定压力；上述真空环境的压力小于2E-7托(Torr)；上述预定时间的长度根据铝铜金属薄膜的厚度来确定。采用本发明的再加工方式之后，可以使析出的铜回熔到AL-0.5CU金属薄膜中，从而减少报废，提高合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 析出 铜回熔到铝铜 金属 薄膜 中的 再加 方式 | ||
【主权项】：
1.一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式，该再加工方式包括：将表面具有析出铜的铝铜金属薄膜的材料置于真空环境中，加温至350～600摄氏度，而后将该材料置于该真空环境中预定时间，使得铜回熔到铝铜金属薄膜中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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