[发明专利]低轮廓线接合通用串行总线装置有效
申请号: | 200810212374.4 | 申请日: | 2008-09-17 |
公开(公告)号: | CN101471270A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 苏雷什·乌帕德亚尤拉;罗伯特·C·米勒;赫姆·塔基阿尔;史蒂文·斯普劳斯;卡·伊恩·扬 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/31;G06K19/077;G11C5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种低轮廓通用串行总线快闪存储器装置及形成所述装置的方法。所述通用串行总线快闪存储器装置包括集成电路存储器部分及通用串行总线连接器。所述存储器部分与所述通用串行总线连接器可整体地形成在同一衬底上。所述通用串行总线快闪存储器装置包括衬底,所述衬底上安装有一个或一个以上快闪存储器电路小片、控制器电路小片、无源组件及用于指示所述存储器何时正被存取的发光二极管。与使用安装在印刷电路板上的TSOP封装的现有技术通用串行总线存储器装置相比,本发明的半导体电路小片附接到所述衬底且线接合于SIP配置中。省略经囊封的TSOP封装使得所述通用串行总线快闪存储器装置的总厚度减小。 | ||
搜索关键词: | 轮廓 接合 通用 串行 总线 装置 | ||
【主权项】:
1、一种制作通用串行总线快闪存储器装置的方法,其包含以下步骤:(a)在衬底上界定导电图案;(b)在所述同一衬底上形成连接器引脚,所述连接器引脚能够配合在主机装置的槽内;(c)将一个或一个以上半导体电路小片线接合到所述衬底;及(d)经由所述导电图案将所述一个或一个以上半导体电路小片电耦合到所述连接器引脚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克股份有限公司,未经桑迪士克股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810212374.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电路基板及其制造方法、电路装置及其制造方法
- 下一篇:电路断路器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造