[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其制造方法。在绝缘体上半导体(SOI)衬底和其上的衬垫层中形成深沟槽。在所述深沟槽中形成导电沟槽填充区域。施加具有相对于所述衬垫层的蚀刻选择性的平坦化材料层。通过光刻方法暴露具有与所述深沟槽的侧壁垂直一致的边缘的所述衬垫层的一部分。通过各向异蚀刻，相对于所述平坦化材料层选择性地去除所述衬垫层的暴露的部分，随后相对于所述导电沟槽填充区域选择性地去除半导体层的暴露的部分。去除所述平坦化材料层，并形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构具有与所述初始深沟槽的边缘自对准的下侧壁。在所述深沟槽的外部同时形成另一浅沟槽隔离结构。

主权项

1. 一种半导体结构，包括：深沟槽，位于绝缘体上半导体(SOI)衬底中；导电沟槽填充区域，位于所述深沟槽中并横向邻接顶部半导体层的一部分；以及浅沟槽隔离结构，包括上侧壁、下侧壁、以及直接邻接所述上侧壁与所述下侧壁的基本上水平的表面，其中所述下侧壁自对准并邻接掩埋绝缘体层的一部分的侧壁，以及其中所述掩埋绝缘体层的所述部分横向邻接所述导电沟槽填充区域。