[发明专利]缓冲装置与薄膜沉积系统有效
| 申请号： | 200810212830.5 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101665928A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 林正聪;孙兆金;唐瑞麟;彭劲凯;刘宇恒 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种缓冲装置与薄膜沉积系统。缓冲装置连接于液态材料供应装置与沉积机台之间。此缓冲装置包括容器以及挡板。容器用于容纳液态材料供应装置所供应的液态材料，且此容器的顶部具有输入孔与输出孔。挡板配置于容器中，且位于输入孔下方。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 装置 薄膜 沉积 系统 | ||
【主权项】：
1.一种缓冲装置，连接于液态材料供应装置与沉积机台之间，该缓冲装置包括：容器，用于容纳该液态材料供应装置所供应的液态材料，该容器的顶部具有输入孔与输出孔；以及挡板，配置于该容器中，且位于该输入孔下方。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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