[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200810213079.0 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101378083A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 有吉恵子;高岛章;菊地祥子;村冈浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实例的非易失性半导体存储器件包括半导体区域，在半导体区域中分开地布置的源极/漏极区，布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜，布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极，布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜，以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。电极间绝缘薄膜包含La、Al和Si。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在半导体区中分开地布置的源极/漏极区；布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜；布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极；布置在浮栅电极上的包含La、Al和Si的电极间绝缘薄膜；以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。
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