[发明专利]超净工作台及单晶硅用原料的制造方法无效
| 申请号： | 200810213369.5 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101385986A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 堺一弘;宫田幸和 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | B01L1/00 | 分类号： | B01L1/00;B01L1/04;C01B33/037 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及超净工作台及单晶硅用原料的制造方法。本发明提供一种超净工作台，其具备承载多晶硅的操作台；具有相对于上述操作台的上方操作空间包围除了前面之外的三面的侧板和覆盖这些侧板上方的顶板的箱体；将上述洁净空气离子化，除去上述操作台上的静电的电离器，在上述箱体的上述顶板上形成有向上述电离器和上述操作台的上面提供洁净空气的供给孔，在上述箱体的上述侧板上形成有抽吸上述操作空间内的空气的抽吸孔。 | ||
| 搜索关键词： | 工作台 单晶硅 原料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种超净工作台，其具备:承载多晶硅的操作台；和具有相对于上述操作台的上方操作空间包围除了前面之外的三面的侧板和覆盖操作空间上方的顶板的箱体；其特征在于，设置在上述箱体的上述顶板上，同时形成向上述操作台的上面供给洁净空气的供给孔，具有电离器，该电离器将从上述供给孔向上述操作空间供给的上述洁净空气离子化、除去上述操作台上的静电，在上述箱体的上述侧板上形成吸入上述操作空间内空气的抽吸孔。
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