[发明专利]编程非易失性存储装置的方法有效
| 申请号： | 200810213560.X | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101388252A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 朴祥珍;薛光洙;崔奇焕;成政宪;崔相武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;杨 静 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种编程非易失性存储装置的方法，该方法可以包括：将编程电压施加到存储单元；在施加了编程电压之后，可以将辅助脉冲施加到存储单元以有助于电荷的热化；在施加辅助脉冲之后，可以将恢复电压施加到存储单元；在施加恢复电压之后，可以利用校验电压来校验存储单元的编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 非易失性 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种编程非易失性存储装置的方法，该方法包括:将编程电压施加到存储单元；在施加编程电压之后，将辅助脉冲施加到存储单元，以有助于电荷的热化；在施加辅助脉冲之后，将恢复电压施加到存储单元；在施加恢复电压之后，利用校验电压来校验存储单元的编程状态。
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