[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200810213597.2 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101404185A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 贞方博之;饭田真久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在不受存储单元影响的情况下对用来纠错的电路进行检查的半导体存储装置。该半导体存储装置构成为：具有生成对应输入数据的奇偶数据的奇偶数据生成电路，锁存输入数据或从正规存储单元阵列读出的数据的正规数据锁存部，选择输入数据或所述奇偶数据并输出的输入选择电路，锁存所述输入选择电路的输出或从奇偶存储单元阵列读出的数据并输出的奇偶数据锁存部，以及使用在所述奇偶数据锁存部锁存的数据对在所述正规数据锁存部锁存的数据进行错误检测、当检测出错误时进行纠错并将所获得的结果输出的纠错电路；该半导体存储装置能够将所述奇偶数据锁存部的输出向该半导体存储装置的外部输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于：该半导体存储装置，具有：奇偶数据生成电路，生成对应输入数据的奇偶数据，正规存储单元阵列，存储所述输入数据，奇偶存储单元阵列，存储所述奇偶数据，正规数据锁存部，锁存输入数据或从所述正规存储单元阵列读出的数据，输入选择电路，选择输入数据或所述奇偶数据并进行输出，奇偶数据锁存部，锁存所述输入选择电路的输出或从所述奇偶存储单元阵列读出的数据并输出，以及纠错电路，使用在所述奇偶数据锁存部锁存的数据，对在所述正规数据锁存部锁存的数据进行错误检测，当检测出错误时进行纠错，并将所获得的结果输出；该半导体存储装置构成为能够将所述奇偶数据锁存部的输出向该半导体存储装置的外部输出。
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