[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810213904.7 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101378079A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 安正豪 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种半导体器件。本发明实施例涉及一种包括有源区的半导体器件，该有源区包括源区、漏区和沟道区。在有源区的周围形成栅电极、源电极和漏电极。多个栅指从栅电极分叉至沟道区中。多个源指从源电极分叉至源区中，源指以预定的图样布置于栅指之间，并具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线。多个漏指从漏电极分叉至漏区中，这些漏指布置于其中没有布置源指的栅指之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：有源区，包括源区、漏区和沟道区；栅电极、源电极和漏电极，形成在所述有源区的周围；多个栅指，从所述栅电极分叉至所述沟道区中；多个源指，从所述源电极分叉至所述源区中，所述源指以预定的图样布置于所述栅指之间，所述源指具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线；以及多个漏指，从所述漏电极分叉至所述漏区中，所述漏指布置于其中没有布置所述源指的所述栅指之间。
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