[发明专利]半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 200810214200.1 申请日: 2008-08-21
公开(公告)号: CN101373755A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 平野博茂;竹村康司;小池功二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体集成电路,其实现布线的低电阻化,具备可以抑制电压降的布线构造。半导体集成电路的电源布线构造具备由沿着第1方向延伸而形成的多个布线(1D)以及(1S)构成的布线层(1);在布线层(1)上,由沿着与第1方向垂直的方向即第2方向延伸而形成的多个布线(2D)以及(2S)构成的布线层(2);和在布线层(2)上,由沿着与第2方向相同的方向延伸而形成的多个布线(4D)以及(4S)构成的布线层4。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,具备:由沿着第1方向延伸而形成的多个第1布线构成的第1布线层;在所述第1布线层上,由沿着与所述第1方向垂直的方向即第2方向延伸而形成的多个第2布线构成的第2布线层;和在所述第2布线层上,由沿着与所述第2方向相同的方向延伸而形成的多个第3布线构成的第3布线层。
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