[发明专利]形成低电容的ESD器件的方法及其结构有效
| 申请号： | 200810214224.7 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101393912A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | T·基纳;张基;F·Y·罗伯;刘明焦;A·萨利;小约翰·M·帕熙;张基松 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，ESD器件使用在该ESD器件内深处的高掺杂的P型区域和N型区域以形成具有受控的击穿电压的齐纳二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电容 esd 器件 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种ESD器件，其包括：所述ESD器件的第一端子；所述ESD器件的第二端子；齐纳二极管，其具有耦合到所述ESD器件的所述第二端子的正极，并且还具有负极；第一P-N二极管，其被耦合为与所述齐纳二极管串联，所述第一P-N二极管具有正极和负极；以及第二P-N二极管，其被耦合为与所述齐纳二极管和所述第一P-N二极管的串联组合并联，所述第二P-N二极管具有负极，并且还具有被耦合到所述齐纳二极管的所述正极和所述ESD器件的所述第二端子的正极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
