[发明专利]具静电放电免疫能力的锁存电路无效
| 申请号： | 200810214246.3 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101662273A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王燕晖 | 申请（专利权）人： | 绿达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/013 | 分类号： | H03K3/013;H03K3/037;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具静电放电免疫能力的锁存电路。具静电放电免疫能力的RS锁存电路通过阻抗元件阻挡静电放电所产生的电流顺向偏压PMOS元件及NMOS元件的体二极管。此外，本发明锁存电路另将PMOS元件与NMOS元件的电路节点进行区隔，以使PMOS元件的电路节点与接地端间的寄生电容及NMOS元件的电路节点与电源电压的寄生电容可有效地被减少。如此一来，本发明可有效地提高锁存电路对静电放电的耐受程度。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 免疫 能力 电路 | ||
【主权项】：
1.一种具静电放电免疫能力的锁存电路，包含有：一第一逻辑门单元，包含有：一第一P型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端；一第一N型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端；以及一第一阻抗元件，耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输出端及该第一N型金属氧化半导体元件的该输出端之间，用来阻挡静电放电所产生的电流顺向偏压该第一P型金属氧化半导体元件及该第一N型金属氧化半导体元件的体二极管；以及一第二逻辑门单元，包含有：一第二P型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端，该输入端耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输出端，该输出端耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输入端；一第二N型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端，该输入端耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输出端，该输出端耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输入端；以及一第二阻抗元件，耦接于该第二P型金属氧化半导体元件的该输出端及该第二N型金属氧化半导体元件的该输出端之间，用来阻挡静电放电所产生的电流顺向偏压该第二P型金属氧化半导体元件及该第二N型金属氧化半导体元件的体二极管。
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