[发明专利]场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法

摘要

本发明涉及场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法。提供了一种包括包含硅的体的场效应晶体管。在形成栅极介质、栅极电极、以及第一栅极隔离物之后，形成漏极侧沟槽并使用宽带隙半导体材料填充所述漏极侧沟槽。可选地，形成源极侧沟槽并使用硅锗合金填充所述源极侧沟槽以提高所述场效应晶体管的开态电流。进行晕圈注入以及源极和漏极离子注入以形成各种掺杂的区域。因为宽带隙半导体材料具有比硅更宽的带隙，归因于在漏极中使用了宽带隙半导体材料，可以减小碰撞电离，从而，与在漏极区域中采用了硅的晶体管相比，增加了场效应晶体管的击穿电压。

主权项

1. 一种场效应晶体管包括：体，包括包含硅的体部分和包含宽带隙半导体材料的体部分；以及漏极区域，包括邻接所述包含宽带隙半导体材料的体部分的包含宽带隙半导体材料的漏极部分，其中所述包含宽带隙半导体材料的体部分和所述包含宽带隙半导体材料的漏极部分包括具有比硅更宽的带隙的半导体材料。