[发明专利]多栅极场效应晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810215910.6 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101388344A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 保罗·帕特诺 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有鳍状结构的多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，该鳍状结构用于在其中形成该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道，该鳍状结构是在SOI型结构的埋入绝缘体上从所述SOI型结构的至少一个有源半导体层起形成的，所述方法包括以下步骤：提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板；以及在所述绝缘体上从所述半导体层起形成一鳍状结构，所述鳍状结构形成了用于该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道的区域。本发明的目的是提供一种多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，其中，可以近乎理想地制备出这种多栅极场效应晶体管结构，从而解决几个相关问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造多栅极场效应晶体管结构(1)的方法，该方法包括以下步骤：提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板(9)；以及在所述绝缘体上从所述半导体层起形成鳍状结构(2)，所述鳍状结构(2)形成了用于该多栅极场效应晶体管结构(1)的晶体管沟道的区域，其特征在于所述绝缘体包括由介电常数比二氧化硅要高的材料制成的至少一个高k层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
