[发明专利]一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置

摘要

本发明适用于太阳能电池领域，提供了一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置，所述方法包括以下步骤：在第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的电压，其中第一电极层为直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的电极层；持续施加电压至刻划不足部分击穿开路。本发明中，在直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加电压，由于在没有刻断或者没有完全刻断的地方形成短路，从而有较大的电流通过，短路之处击穿开路，达到修复的目的，既提高了生产效率又避免了由于次品、废品的出现而造成的浪费。

主权项

1、一种薄膜太阳能电池芯片修复方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的电压，其中第一电极层为直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的电极层；持续施加电压至刻划不足部分击穿开路。