[发明专利]工艺腔室及等离子体装置及腔室状态检测方法无效
| 申请号： | 200810223919.1 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101719462A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘利坚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32;H01J37/244 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺腔室及等离子体装置及腔室状态检测方法，工艺腔室的侧壁上的工艺元件可以移除，工艺元件与腔室的侧壁的接口处可以安装摄像头。当腔室进行正常工艺时，腔室的侧壁上装有工艺元件；当腔室进行调试时，将工艺元件移除，并在工艺元件与腔室的侧壁的接口处安装摄像头，通过摄像头对腔室内的状态进行检测，不必另外在腔室的侧壁上开设额外的检测接口，减少了侧壁上的开口对工艺的影响，结构简单、操作方便、腔室均一性好。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 等离子体 装置 状态 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种工艺腔室，所述腔室的侧壁上设有用于安装工艺元件的接口，其特征在于，所述接口还用于安装摄像头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
