[发明专利]具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200810225758.X | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740475A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 孙武;沈满华;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；形成通孔开口；检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；在所述第二介质层上形成沟槽图形；形成沟槽；去除所述第二介质层；根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件；进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；形成双镶嵌结构。本发明还公开了相应的一种具有双镶嵌结构的半导体器件。本发明的具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法，在无刻蚀停止层下形成了高质量的双镶嵌结构，有效降低了双镶嵌结构的k值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 镶嵌 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，以在所述第一介质层内形成通孔开口；检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；在所述第二介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第二刻蚀，以形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔开口；去除所述第二介质层；根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件；进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充铜金属，形成双镶嵌结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
