[发明专利]埋栅太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 200810225928.4 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101740659A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 肖青平 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种埋栅太阳能电池的制造方法，采用化学腐蚀的方法形成沉积埋栅电极所需要的沟槽；通过在沟槽内填充包括Ag、掺杂源和玻璃料的自掺杂浆料，并加热到845℃以上，进行烧结，浆料中的玻璃料可以烧透SiN减反射层，使浆料直接与下层Si接触，在界面处Ag使Si溶化为液体，当温度降低时，一方面部分Si溶入Ag中形成Ag-Si接触，降低了接触电阻；另一方面Si重新晶化，使掺杂源扩散进入Si晶格中，形成重掺杂深扩散区，制成埋栅电极，简化了生产工艺，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：A、在基片正面形成用于制作埋栅电极的沟槽；B、在所述基片正面沉积减反射层；C、在所述沟槽内填充自掺杂浆料，所述自掺杂浆料包括颗粒形态的Ag、液体形态的掺杂源和玻璃料；D、将步骤C之后的基片进行加热烧结，形成所述埋栅电极。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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